12吋矽晶圓雷射切割

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0.1um on Silicon

矽晶圓覆銅切割是半導體製造過程中的一個步驟。這涉及將一層銅覆蓋在矽晶圓表面，然後按照特定的模式將這層銅切割或移除，以形成所需的半導體結構。

這個過程通常涉及以下步驟：

這個步驟是製造半導體元件中的重要工序之一，它確保了所需的電路模式能夠準確地在矽晶圓表面形成。

▲上圖為矽晶圓覆銅切割情形 , T=0.1um